日本JAXA研制出新型InGaAs半导体

2019-08-15 18:10:55 来源: 无锡信息港

  近日,日本宇宙航空研究开发机构(JAXA)成功制造出了30mm见方的InGaAs单结晶。这是通过利用宇宙实验获得的成果,开发出使温度与浓度梯度一致的新结晶成长法,并通过减小溶液的厚度抑制对流实现结晶化。该产品是根据以独立行政法人新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)为中心制定的共同研究协议,由JAXA与NTT及Furuuchi Chemical共同开发出来的。

  另外,JAXA等还采用此次开发的结晶技术制造出了,并利用光纤进行了通信实验。采用波长为1.3 m的成功进行了20km的远程通信。通过光纤传导准确无误地传输了每秒1010次的闪烁信号。

  InGaAs半导体与原来的InP半导体激光器相比,即使温度升高,输出功率也不会明显降低。因此,无需冷却,因而可减少耗电量。JAXA期待今后InGaAs半导体激光器可作为能够大幅削减耗电量的半导体激光器,应用于基于光通信的都市络基站。

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